【夏季学期进行时】物理科学学院诚邀山东大学胡小波教授作高端学术报告

9月4日上午，山东大学晶体材料研究所，博士生导师，教育部新世纪优秀人才，胡小波教授在博知楼301教室，做了一场题为“SiC单晶生长及其结构缺陷”的学术报告。报告由物理科学学院院长滕冰教授主持，场内师生一百余名，同学们热情认真，现场学术氛围浓厚。

胡教授以中美贸易战的芯片引出今天的主角—SiC晶体。首先从SiC晶体的性质，结构，用途，电力电子应用，SiC单晶生长方法以及SiC vs Si功率器件讲出了SiC晶体的研究背景。分析了大尺寸单晶生长和加工技术有待进一步完善的产业现状。介绍了SiC单晶生长与衬底加工工艺，讲解了及其PVT法SiC单晶生长原理以及标准。随后，胡教授讲到了SiC单晶中的结构缺陷即基平面弯曲、多型包裹体、微管、位错等方面的研究进展情况。最后胡教授讲到做事要有工匠精神，期待P型生长技术有大的突破。同时，胡教授也欢迎同学们到山东大学晶体材料研究所继续深造。

互动环节中，同学们踊跃提问，胡教授一一作答，现场学术氛围浓厚，同学们收获颇多。 

   胡小波，山东大学晶体材料研究所教授，博士生导师,教育部新世纪优秀人才；美国阿岗国家实验室，访问学者；澳大利亚昆士兰大学，高级研究学者。